微细加工与测试

仪器名称

仪器型号

简介

磁控溅射台

SP-3

现有靶材为Ta、 Cu 、Si、Ti、Mo、Ni，其它薄膜溅射自带靶材，最大可同时放入三片6寸圆片。溅射腔室可通入气体：Ar，N2，H2，O2，溅射速率0.1—0.25nm/S（视材质而定）

等离子体浸没式离子注入机

PIII-100

可用于半导体材料的P、N型注入，也可用于H、He、Ar的注入用于智能剥离SOI材料的研究

紫外光刻机

URE-2000/A

可曝光2’’-6”圆片， 套刻工艺加工，灯源采用1000W直流高压汞灯，曝光波长使用365nm。

匀胶机

KW

显影工艺加工（含热板）

光刻胶视情况收费，现有光刻胶种类S9920NX-H,S9912NX-H,KMPR1005，AZ4620，SU8 2100。显影液有SU8，FHD-5，AZ300 MIF,AZ400K。

可编程数字热板

Echo Therm

最高温度到300

快速退火炉

AW810M

温度范围为常温到1200℃，气体可通N2、O2。

硅片清洗机

SFQ-1508T

旋转冲洗甩干机

CXS-2200B

零件超声清洗机

功率2KW

刻蚀机

KE-320 ICP

KE-320为高密度感性耦合等离子体干法刻蚀机，目前机台具有相对成熟的硅（Si）、蓝宝石（Al2O3）、石英、SiO2、SiNx以及GaN刻蚀工艺，支持现有工艺的优化开发加工、光刻胶灰化处理、材料表面等离子体处理以及其他材料的合作研发加工，支持批量加工。刻蚀机基片卡盘直径320mm，支持2’’X22wafers/4’’X3wafers两种规格

等离子喷涂系统

Unicoat

可以喷涂所有高温难熔的材料,最大功率 45 kW,气体流量：Ar: 2-100标升/分,H2: 0.4-20标升/分 ,N2: 2-100标升/分,He: 4-200标升/分

原子力显微镜

Veeco Dimension D3100 AFM

可用来测量直径可达200毫米的半导体硅片、刻蚀掩膜、磁介质、CD/DVD、生物材料、光学材料和其它样品的表面特性。扫图最宽范围为90um*90um,最深台阶＜10um。Z轴精度可达0.1nm，XY精度可达1nm。

激光共焦显微镜

OPLYMPUS LEXT OSL 4000

它可获得分辨率高达0.12μm的表面显微图像，通过处理图像，获得样品表面的三维真实形态，最终可测得亚微米级的线宽,面积,体积,台阶,线与面粗糙度,透明膜厚，几何参数等测量数据。

台阶仪

P6

KLA-Tencor

工业级设备，高精度，高重复性。可测台阶＜300um，精度可到6埃。

椭偏仪

UVISEL 2 法国HORIBA Scientific

全自动化性能，专利光斑可视技术，高精度，8种微光斑尺寸，可测薄膜的厚度，光学参数等。

四探针电阻测试仪

CRESBOX

四探针法测量表面电阻，矩形最大可测156*156mm，圆片最大8inch

显微镜

奥林巴斯BX51

电脑实时显示成像，配有1.25倍物镜，最大可检查范围的直径为17.6mm

显微镜

奥林巴斯MX61

电脑实时显示成像，可测8inch。配有1.25倍物镜，最大可检查范围的直径为20.8mm.

高精度电子天平

METTLER TOLEDO

同步热分析仪

STA449F3

德国NETZSCH

覆盖 -150 至 2000℃ 的宽广的温度范围。 可以快速而深入地对材料的热稳定性，分解行为，组分分析，相转变，熔融过程等进行表征。

太阳能电池IV测试仪

SOL3A

Newport

最大可测矩形片156*156mm,圆片8inch，模仿太阳光照射下的IV曲线

光学轮廓仪

MICRO XAM1200

测量样品表面粗糙度，主要针对光滑表面，测量垂直分辨率是0.1nm，最大纵深为 1um。测量表面台阶高度，的最大高度可达 5mm。

傅立叶红外光谱仪

VERTEX 70V

德国布鲁克

适用于液体、固体、金属材料表面镀膜等样品。它不仅可以检测样品的分子结构特征，还可对混合物中各组份进行定量分析，本仪器的测量范围为(7500～370) cm-1，常用波数范围(4000～400) cm-1【对应波长范围为(2.5～25)μm】。

X射线衍射仪

X-RAY

仪器采用当前最先进的技术，测角仪测角准确度与精确度达到当前世界先进水平， 保证衍射峰位、峰形和强度测量准确、精确。可进行粉末物相分析、晶粒大小判断、结晶度分析、物相含量分析、薄膜分析。仪器包括X射线发生器、高精密测角仪、人工多层膜聚焦镜，五轴薄膜样品台、计算机控制系统、数据处理软件、相关应用软件等。

全自动反射式薄膜测量仪

Film-100

可测量硅晶太阳能绒面减反膜，单晶及多晶太阳能基底，一般薄膜膜厚测量，硅晶太阳能绒面减反膜及一般薄膜折射率测量(光学常数 n&k),电动平移台实现全表面自动扫描，深紫外宽光谱(有效光谱范围210nm-1000nm)，测量时间：<2s/点，可实现快速精确测量，自动数据分析和报告生成

霍尔效应测试仪

Hall 8800

本仪器主要用于量测电子材料重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等。薄膜或体材料均可. 除了用来判断半导体材料导电类型(n或p)以外，它还可应用于LED外延层的质量判定、判断在HEMT组件中二维电子气是否形成以及太阳能电池片的制程辅助。

晶圆颗粒检测仪

对晶圆全部表面的纳米尺寸的颗粒检测，最小精度到30-40nm