北京大学作为首批国家知识产权示范高校及高等学校专业化技术转移机构建设试点单位，全面贯彻政策要求，积极推进知识产权转化运用，扎实开展专利开放许可工作。自今年5月开始，北京大学明确开放许可合同内容及签订流程，并通过专利分析统计主动发现和发布通知集中征集二者结合的方式收集并整理了45项专利开放许可项目，分别来自北京大学的15个技术团队，涉及集成电路、新材料、生物医药、人工智能等技术领域。本期聚焦“新一代信息技术”领域的9个专利项目，详情如下：
专利摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
专利摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
专利摘要：本发明公开了一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层，所述纳米柱的材料为重掺杂硅。本发明通过按照一定的结构设置，实现了在不增加工艺复杂度的情况下，提供了一种适合于三维集成，并具有自整流特性的存储器。
4三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质
专利摘要：一种三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质。该操作方法包括：选中三维垂直阻变存储器阵列中的特定阻变存储器作为选中单元进行编程操作。上述编程操作包括：在选中单元所在的字线、位线和选择线分别对应施加电压Vdd、0和Von1；在与选中单元对应不同选择线的第一非选中单元所在的选择线施加零电压；以及在与选中单元对应同一选择线的第二非选中单元对应的字线和位线中，除去选中单元所在字线和位线之外，其余字线施加电压V1，其余位线施加电压V2；其中，电压V1、V2满足：使得所有第二非选中单元的电压降均小于Vdd/2。在编程操作时克服了由于阻变存储器自身压降及对应的编程电压的涨落而导致的误编程操作。
专利摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
专利摘要：本发明提供了一种实现图像卷积的编码型闪存系统，用于对输入图像进行卷积处理，包括：输入模块、编码型闪存阵列、控制器、字线控制单元、位线控制单元和输出模块。此外，本发明还提供了一种实现图像卷积的编码型闪存系统的工作方法，将输入图像矩阵的像素点转化成编码型闪存阵列的输入电压，与卷积核进行卷积处理，整合各编码型闪存输出的电流值，得到卷积后的输出图像。本发明采用硬件结构实现了卷积的高效、并行计算，同时还实现了存储计算的一体化。
专利摘要：本发明实施例提供了一种实现图像卷积的编码型闪存系统，包括编码型闪存阵列，所述编码型闪存阵列包括：n2个第一编码型闪存单元、n2个第二编码型闪存单元、第一字线、第二字线、n2条位线、第一导线、第二导线以及运算放大器。其中，每个所述编码型闪存单元包括源端、栅端和漏端，用于存储卷积核数据。字线与编码型闪存单元的栅端相连，用于施加驱动电压。位线连接相应的一对第一编码型闪存单元和第二编码型闪存单元的漏端，用于传输像素矩阵中的相应一个元素。导线与编码型闪存单元的源端相连。运算放大器包括正输入端、负输入端和输出端，所述正输入端与所述第一导线相连，所述负输入端与所述第二导线相连，所述输出端用于输出卷积处理结果。
专利摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。
专利摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的操作方法，包括逻辑子单元，所述逻辑子单元包括至少两个输入单元、一个输出单元和至少一个基准单元，所述输入单元包括第一输入阻变单元和第二输入阻变单元，所述输出单元包括第一输出阻变单元，通过适当地将各单元与字线、位线连接，向输入、输出阻变单元和基准单元施加特定的电压脉冲，以简易的方式实现了逻辑运算操作及其重构，实现了存储计算的一体化，不仅减少了所需忆阻器的数量，还提高了逻辑运算的执行效率。
2021年6月1日实施的新专利法新增专利开放许可制度。专利权人自愿声明并经国家知识产权局公告，任何人依照声明的价格和标准支付费用即可便捷获得专利实施许可。不同于传统的“一对一”许可方式，开放许可可以实现权利人一视同仁、简便快捷的“一对多”许可，有利于促进供需对接、提升谈判效率、降低制度性交易成本。上半年，国家知识产权局印发《专利开放许可试点工作方案》，总结地方先行先试经验，加快该制度平稳落地。
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